Depuis une dizaine d’années la détection de photons uniques, basée sur ce principe, s’est développée essentiellement avec des nanofils de Nb et de NbN, fonctionnant à la température de l’Hélium liquide (4K). Cependant, la rapidité de ces dispositifs est limitée par le temps de réinitialisation de l’état supraconducteur lequel est intrinsèquement lié au temps de diffusion électron-phonon dans le supraconducteur. De plus, la contrainte de la température de fonctionnement freine considérablement l’implémentation de cette technologie dans des applications pratiques. Dans ce contexte, l’utilisation de nanofils supraconducteurs à haute température critique présente essentiellement deux avantages : la température critique de l’état supraconducteur est plus haute et le temps de diffusion électron-phonon est plus petit que les temps des SSPD actuels, ce qui devrait permettre un augmentation de la vitesse d’opération.

Ce projet a pour but de développer un nouveau type de détecteur supraconducteur de photon unique ultra-rapide à base de Bi2Sr2CaCu2O8+x. Au cours de ce stage, nous réaliserons une structuration d’une monocouche de film à haute température critique en BISCCO dont la supraconductivité est contrôlable par effet de champ électrique. En combinant le collage anodique sur un substrat pré-strucuturé, nous réaliserons des nanofils dont il sera possible de contrôler la température critique par effet de champ…